作者：聚创交大考研网-a老师
点击量： 707
发布时间： 2017-02-09 16:49
【微信号：扫码加咨询】
2017年考研已经结束，聚英考研信息网第一时间为大家收集整理了各大高校考研真题，以下是2017年上海交通大学874半导体物理与基础考研专业课真题（回忆版），决定2018考研的学子们可以感受下，由于是网友们的回忆版，可能有些出入，欢迎各位学子纠正补充。
相关阅读推荐：
1.已知两块半导体电子浓度之比为e，第一块的费米能级在导带下3kt，问第二块的费米能级位置和两块的空穴浓度之比
2.求锗中电子的平均自由时间和自由程
3.光生载流子稳定注入情况下的载流子的浓度表达式
4.什么是异质结，表面电导，半导体发光
5.pn结的最大电场强度，电容和电流
6.三极管能带图，最大内建电场
7.求阈值电压和漏极电流
以上是聚创考研网为考生整理的"2017年上海交通大学874半导体物理与基础考研专业课真题（回忆版）"的相关考研信息，希望对大家考研备考有所帮助！ 备考过程中如有疑问，也可以添加老师微信H17720740258进行咨询。
