天津大学2017年813半导体物理或电介质物理硕士研究生考试大纲

  据悉，天津大学2017年813半导体物理或电介质物理硕士研究生考试大纲已公布，聚英考研信息网为大家整理如下：

  推荐阅读：

  天津大学2017年硕士学位研究生招生简章

  【汇总】2017年中国天津大学各院系硕士研究生招生专业目录

  代码及科目名称：813半导体物理或电介质物理

       本考试课程由两部分组成，请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。

  第一部分：半导体物理考试大纲（参加半导体物理考试的考生参考） ：

  一、考试的总体要求

  本课程为本专业主干专业基础课， 要求考生掌握半导体物理的基本概念、 p-n 结、 MOS 结构、双极晶体管、MOS 晶体管等基本原理和应用。

  二、考试的内容及比例

  （一）考试内容要点：

  第一部分： （50%）

  1、半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级；2、热平衡状态下半导体载流子的统计分布，本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应；

  3、半导体的导电性：载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系，体内负微分电导；4、非平衡载流子：非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级，爱因斯坦关系，一维稳定扩散，光激发载流子衰减；

  5、p-n 结、MOS 结构：平衡与非平衡 p-n 结特点及其能带图，pn 结理想和非理想 I-V 特性，p-n 结电容概念与击穿机制，p-n 结隧道效应、肖特基势垒二极管；6、MOS 结构表面电场效应，理想与实际 MOS 结构 C-V 特性，MOS 系统的性质（固定电荷、可动离子、界面态对 C-V 特性的影响） ，表面电场对 p-n 结特性的影响；第二部分： （50%）

  7、双极晶体管的基本结构、原理，少数子分布，低频电流增益和非理想效应；8、双极晶体管的等效电路模型、频率特性和开关特性；9、MOSFET 的基本结构、原理，阈值电压，电流电压关系，击穿特性和频率特性；10、MOSFET 的非理想特性：亚阈值特性、沟道长度调制效应、短沟道效应；11、光器件与功率器件的原理、特点与应用

  （二）比例：

  两部分考试内容各占 50%。

  三、试卷题型及比例

  1、概念与问答题：40%；

  2、论述题：30%；

  3、计算与推导题：20%；

  4、实验与综合题：10%。

  四、考试形式及时间

  考试形式均为笔试。考试时间为 3 小时(满分 150)。

  五、参考书目

  半导体物理学， （第七版） ，刘恩科、朱秉升、罗晋生编著，电子工业出版社。

  半导体物理与器件， （第四版） ，赵毅强、姚素英等译，电子工业出版社。

  晶体管原理与设计，陈星弼 张庆中等， 电子工业出版社。

  第二部分：电介质物理大纲（参加电介质物理考试的考生参考） ：

  一、考试的总体要求

  本课程要求考生重点掌握电介质物理的基本原理与概念， 并能运用这些基本概念分析和解释有关的实际问题。

  二、考试的内容及比例

  考试具体范围如下：

  1、恒定电场中电介质的极化

  （1）介电常数和介质极化；

  （2）有效电场；

  （3）克-莫方程及其应用；

  （4）极性液体介质的有效电场；

  （5）电子位移极化、离子位移极化、转向极化、热离子极化、空间电荷极化。

  2、恒定电场中电介质的电导

  （1）气体介质的电导；

  （2）液体介质的电导；

  （3）固体介质的电导-固体介质的离子电导；

  （4）固体介质的表面电导；

  （5）直流电场下介质的绝缘电阻与能量损耗。

  3、交变电场中电介质的损耗

  （1）复介电常数和复折射率；

  （2）介质损耗；

  （3）弛豫现象；

  （4）德拜方程；

  （5）柯尔-柯尔圆弧律；

  （6）介质损耗与温度的关系；

  （7）计及漏电导时的介质损耗；

  （8）有损耗电介质的等效电路。

  三、试卷类型及比例

  1、名词辨析题：20%

  2、填空题：20%

  3、简答题：40%

  4、综合题：20%

  四、考试形式及时间

  考试形式均为笔试。考试时间为 3 小时（满分 150 分） 。

  五、参考书目

  1、 《电介质物理导论》 ，李翰如，成都科技大学出版社；2、 《电介质物理基础》 ，孙目珍，华南理工大学出版社；3、 《电介质物理》 ，张良莹、姚熹，西安交通大学出版社。