华南理工大学材料科学与工程学院导师介绍：李国强

　　
　　基本信息
　　李国强
　　所在系所：    电子材料科学与工程系
　　职称：    教授
　　研究领域：    光电化合物半导体（III-V族与II-VI族）的材料生长、无机光电器件（LED及太阳电池）的制备、材料设计

　　教育与工作经历
　　2010.02-今 华南理工大学材料学院 教授 2007.04-2010.02 牛津大学材料系 皇家学会研究员、牛津大学研究员 2005.05-2007.04 东京大学生产技术研究所 JSPS外国人特别研究员 2004.05-2005.05 通用电气全球研发中心 高级研究员 2001.03-2004.05 西北工业大学凝固技术国家重点实验室 攻读博士学位 1999.09-2001.03 西北工业大学凝固技术国家重点实验室 攻读硕士学位 1995.09-1999.07 西北工业大学材料科学与工程学院 本科

　　科研与教学情况
　　长期从事光电化合物半导体材料（主要为III-V族及II-VI族化合物半导体）的制备、缺陷控制及相关器件（主要为LED及太阳能电池等）研究。主要研究领域包括以下几个方向： 1. 化合物半导体的外延生长及缺陷控制 2. 化合物半导体的化学合成 3. 化合物半导体器件（LED及太阳能电池）制备 4. 化合物半导体材料的微观结构与器件的性能模拟 5. 非晶态材料的原子结构（实验及理论计算） 主要研究成果包括： 1. 提出了改进的垂直布里奇曼法并生长出大直径高质量CdZnTe单晶。建立了II-VI 族化合物中缺陷对红外光的吸收机理，提出了一种无损的对该类晶体的光学和电学性能进行综合评价的方法。发明了此类晶体的液相介质退火改性工艺。该成果获得2006年“全国百篇优秀博士论文”。 2. 首次实现低缺陷密度非极性氮化物单晶薄膜在LGO衬底上的成长及相关器件的研制。该研究结果被国际著名期刊Chemical Communications 作为封面报道进行发表；并首次实现了高质量氮化物薄膜在尖晶石和金属钨衬底上的室温生长及相关器件的研制。 3. 深入研究了化合物半导体的缺陷形成及控制机理。 目前主持在研项目包括国家自然科学基金项目及华南理工大学中央高校基本科研业务费人才引进重点项目。在国际学术刊物上发表学术论文30余篇，其中SCI 期刊收录论文34篇，EI检索35篇。获中国国家发明专利2项。研究成果曾获2006年“全国百篇优秀博士论文”；作为主要参与者，获得“教育部提名国家科学技术奖自然科学二等奖”、“陕西省科技进步二等奖”等，曾获“日本学术振兴会”及“英国皇家学会”资金资助。近5年内发表论文30余篇，获省部级科技奖2 项。是美国MRS、ACS、IEEE，英国IoP、RMS，日本JSAP 及JEMS 会员，并担任多个国际学术期刊审稿人。 目前，课题组与英国牛津大学、York大学、Strathclyde大学保持密切的合作关系。