厦门大学物理科学与技术学院物理学系导师介绍：李成

  姓名
  李成
  职称
  教授
  E-mail
  lich@edu.cn
  工作电话
  0592-2184220
  办公室
  物理楼414
  李成
  个人简历
  李成，男，教授/博士生导师，理学博士。2007年入选教育部新世纪优秀人才。
  1992年和1995年毕业于兰州大学，分别取得学士和硕士学位，2000年毕业于中国科学院半导体研究所，获得博士学位。1995-1997年曾在航天部771研究所工作，2002-2004年在日本筑波大学做博士后。国家自然科学奖评审专家，国家科技部重点专项会评专家，中国物理学会谢希德物理学奖第二、三届评委，Journal of Semiconductor编委，包括IEEE Electron Device Letter, Chinese Physics B等10余种国内外学术刊物审稿人。完成或正在承担包括国家重点基础研究发展计划（973）课题，国家自然科学基金重点和面上项目，教育部博士点基金，福建省工业科技重点项目等省部级以上科研项目12项。发表学术论文150余篇，其中被SCI收录120余篇，被引用650余次。已授权中国发明专利6项。部分成果被Laser Focus World, Semiconductor today等国际著名行业杂志在新闻栏目中撰文报道，部分成果被写入三本国际著名出版社出版的专著中。
  长期从事半导体光电子材料与器件研究工作，面向硅基光互连核心高效发光器件、探测器件以及高迁移率沟道器件等，系统地开展了基于能带工程的硅基锗硅材料外延生长，光电子器件制备以及集成化共性关键工艺的研究工作，探索其中新的物理效应和机理，取得的主要成果有：(1)提出低温Ge关联岛缓冲层技术，通过低温Ge岛高指数晶面诱导Ge横向生长，实现超低位错密度高结晶质量的Si基Ge外延材料。（2）提出并制备了调制掺杂应变Ge/SiGe异质结构和量子阱发光材料，基于张应变工程、量子限制和Ge直接带载流子填充技术，观测到直接带发光的量子限制效应，有效提高Ge直接带隙发光强度。（3）提出低温预退火和脉冲激光退火相结合的方法，有效提高离子注入n-Ge掺杂激活浓度，制备出n+p浅结，整流比达到7个数量级。提出金属与锗接触势垒高度调制新方法和机理，实现低比接触电阻率。（4）制备出硅基Ge横向异质结构电致发光器件，发光强度比相同有源区器件提高4倍以上，利用垂直谐振腔结构，观测到Ge直接带发光的非线性增强和光增益。（5）制备出高速高灵敏度硅基锗光电探测器和高迁移率Ge量子阱MOSFET器件。研究成果在硅基集成光电子芯片应用方面具有重要的价值。
  研究领域
  半导体光电子材料与器件；Si基集成光电子学
  发表文章
  Guangyang Lin, Xiaohui Yi, Cheng Li,a) Ningli Chen, Lu Zhang, Songyan Chen, Wei Huang, Jianyuan Wang, Xihuan Xiong, and Jiaming Sun，Strong room temperature electroluminescence from lateral p-SiGe/i-Ge/n-SiGe heterojunction diodes on silicon-on-insulator substrate，Appl. Phys. Lett. 109, 141104 (2016).
  Guangyang Lin, Chen Wang, Cheng Li, Chaowen Chen, Zhiwei Huang, Wei Huang, Songyan Chen, Hongkai Lai , Chunyan Jin, and Jiaming Sun Strong electroluminescence from direct band and defects in Ge n+/p shallow junctions at room temperature，Appl. Phys. Lett. 108, 191107 (2016).
  Zhiwei Huang, Cheng Li*, Guangyang Lin, Shumei Lai, Chen Wang, Wei Huang, Jianyuan Wang, and Songyan Chen, Suppressing the formation of GeOx by doping Sn into Ge to modulate the Schottky barrier height of metal/n-Ge contact， Appl. Phys. Express 9, 021301 (2016).
  Qihai Lu, RongHuang, Xiaoling Lan, Xiaowei Chi, Chao Lu, Cheng Li,Zhiguo Wu, JunLi, Genliang Han, Pengxun Yan, Amazing diffusion depth of ultra- thin hafnium oxide film grown on n-type silicon by lower temperature atomic layer deposition, Materials Letters 169(2016)164–167
  Chen Wang, Cheng Li, Guangyang Lin, Weifang Lu, Jiangbin Wei, Wei Huang, Hongkai Lai, Germanium n+/p Shallow Junction With Record Rectification Ratio Formed by Low-Temperature Preannealing and Excimer Laser Annealing IEEE Trans. On Electron Devices VOL. 61, NO. 9, SEPTEMBER 2014。
  Guangyang Lin, Mengrao Tang, Cheng Li,a) Shihao Huang, Weifang Lu, Chen Wang,Guangming Yan, and Songyan Chen，Formation of nickel germanide on SiO2-capped n-Ge to lower its Schottky barrier height，Appl. Phys. Lett. 103, 253506 (2013)。
  Shihao Huang,Cheng Li,Cheng zhao Chen, Chen Wang, Guangming Yan,Hongkai Lai, and Songyan Chen， In situ doped phosphorus diffusion behavior in germanium epilayer on silicon substrate by ultra-high vacuum chemical vapor deposition，Appl. Phys. Lett.. 102, 182102 (2013)
  Shihao Huang, Weifang Lu, Cheng Li,* Wei Huang, Hongkai Lai, and Songyan Chen，A CMOS-compatible approach to fabricate an ultra-thin germanium-on-insulator with large tensile strain for Si-based light emission， Vol. 21, No. 1，OPTICS EXPRESS640，14 January 2013.
  Chen Wang, Cheng Li, Shihao Huang, Weifang Lu, Guangming Yan, Guangyang Lin,Jiangbin Wei, Wei Huang, Hongkai Lai, and Songyan Chen，Low Specific Contact Resistivity to n-Ge and Well-Behaved Ge n?/p Diode Achieved by Implantation and Excimer Laser Annealing，Appl. Phys. Express 6 (2013) 106501
  Mengrao Tang, Cheng Li，Zheng Wu, Guanzhou Liu, Wei Huang, Hongkai Lai, Songyan Chen, “A Study of the Schottky-Barrier Height of Nickel Germanosilicide Contacts Formed on Si1?xGex Epilayers on Si Substrates”, IEEE. Tran. Electron Devices,59（9），2438-2443, (2012).
  Zheng Wu, Wei Huang, Cheng Li, Hongkai Lai, and Songyan Chen，Modulation of Schottky Barrier Height of Metal/TaN/n-Ge Junctions by Varying TaN Thickness IEEE Tran. Electron Devices. 59（9），1328， 2012.
  Yanghua Chen, Cheng LI*, Hongkai Lai, Songyan Chen, Quantum-confined direct band transitions in tensile strained Ge/SiGe qauntum wells on silicon substrate, Nanotechnology, 21，115207，2010.
  Cheng LI*, Yanghua Chen, Zhiwen Zhou, Hongkai Lai, Songyan Chen, Enhanced photoluminescence of strained Ge with a delta-doping SiGe layer on silicon and silicon-on-insulator, Appl. Phys. Lett. 95, (2009).
  Yanghua Chen, Cheng Li*, Zhiwen Zhou, Hongkai Lai, Songyan Chen, Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/SiGe quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate, Appl. Phys. Lett. 94, 141902(2009)
  Cheng Li, Qinqing Yang, Hongjie Wang, Jinzhong Yu, Qiming Wang, Yongkang Li, Junming Zhou, Chenglu Lin,  " Si1-xGex/Si Resonant- Cavity-Enhanced photodetectors with a silicon-on-oxide reflector operating near 1.3mm ", Appl. Phys. Lett., 77(2), p.157,July 10, 2000.
  其他信息
  主要科研项目
  1. 国家自然科学基金面上项目：61474094，绝缘体上锗（GOI）纳米带应变调控机理及其MOSFET研究，2015/01-2018/12, 在研，主持。
  2. 国家重点基础研究发展计划（973）子课题，2013CB632103，硅基能带调控发光材料与激光器件，2013／1- 2017／12，在研，子课题主持（骨干成员）。
  3.国家重大科学研究计划（973）课题，2012CB933503 硅基混合集成微纳结构高速高灵敏度光电探测器的研究，2012／1-2016／12，在研，课题组长。
  4.国家自然科学基金面上项目，61176092 金属与锗接触界面微结构及势垒高度调制机理研究，2012／1-2015／12， 在研，主持。
  5.教育部博士点基金项目，20110121110025 基于能带工程的硅基锗高效发光材料研究，2012／1-2014／12，结题，主持。
  6.国家自然科学基金重点项目子课题，61036003 硅基锗材料外延及相关器件基础研究，2011／1-2014／12， 结题，子课题主持（课题副组长）。
  7.国家重点基础研究（973）计划子课题，2007CB613404 基于能带工程的硅基发光材料及原型器件，2007／7-2011／8，结题验收。子课题主持（骨干成员）。
  8.教育部新世纪优秀人才支持计划：NCET-07-0724 高速Si基长波长Ge探测器及其集成化技术研究,2007／7-2009／7，结题，主持。
  9.国家自然科学基金面上项目，60676027  SOI基高速窄谱带长波长锗光电探测器的研究，2007／1-2009／12，结题，主持。
  10.国家自然科学基金面上项目，50672079 硅基高效发光材料研究 2007／1-2009／12， 结题，第2参加人。
  11.福建省工业科技重点项目，2006H0036 SOI基高速垂直腔锗探测器，2006／7-2009／7，结题验收，主持。
  12.教育部留学回国人员基金项目，锗硅量子点光电晶体管的研制， 2005／１-2007／１２，结题，主持。
  13.福建省青年人才创新项目，2004J021 锗硅异质结晶体管及其集成化关键技术研究 2004／6-2007／7，结题，主持。