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2017年上海交通大学874半导体物理与基础考研专业课真题(回忆版)

作者:聚创交大考研网-a老师 点击量: 695 发布时间: 2017-02-09 16:49 【微信号:扫码加咨询】

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  1.已知两块半导体电子浓度之比为e,第一块的费米能级在导带下3kt,问第二块的费米能级位置和两块的空穴浓度之比

  2.求锗中电子的平均自由时间和自由程

  3.光生载流子稳定注入情况下的载流子的浓度表达式

  4.什么是异质结,表面电导,半导体发光

  5.pn结的最大电场强度,电容和电流

  6.三极管能带图,最大内建电场

  7.求阈值电压和漏极电流


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